MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:27A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 16A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 25V,功率 - 最大值:68W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB,供应商器件封装:I-Pak

• 深圳市腾运泰科技有限公司
• 广州市昊友电子科技有限公司
• 深圳市烨鑫微电子有限公司
• 北京华威远航电子科技有限责任公司
• 深圳市睿泽诚电子科技有限公司
• 深圳市得天时实业有限公司
• 深圳市福田区伟成微电子经营部
• 深圳市古东科技有限公司
• 深圳市益辉科技有限公司
• 北京汇丰百纳电子技术有限公司
• 深圳市慧宇通科技有限公司
• 深圳市正伟亿科技有限公司
• 深圳市华隆达电子商行